Index des produits > Circuits intégrés (CI) > Durée de conservation

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Conditionnement Série Statut de la pièce Configuration Type de canal Nombre de circuits d'attaque Type de grille Alimentation en tension Tension logique - VIL, VIH Courant - Sortie de crête (source, réception) Type d’entrée Côté haut potentiel - max (amorce) Temps de montée / descente (typ.) Température d’utilisation Type de montage Boîtier Boîtier fournisseur
   
SN75451BDR Datasheet SN75451BDR - Texas Instruments 296-14960-2-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 22.500 - Immédiatement
10.000 - Stock usine ?
Disponible: 22.500
€ 0,26023 2.500 Minimum : 2.500 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,75V ~ 5,25V 0,8 V, 2 V 500 mA, 500 mA Avec inversion
-
5 ns, 7 ns 0 °C ~ 70 °C (TA) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90mm de largeur) 8-SOIC
SN75451BDR Datasheet SN75451BDR - Texas Instruments 296-14960-1-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 27.625 - Immédiatement
10.001 - Stock usine ?
Disponible: 27.625
€ 0,69000 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,75V ~ 5,25V 0,8 V, 2 V 500 mA, 500 mA Avec inversion
-
5 ns, 7 ns 0 °C ~ 70 °C (TA) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90mm de largeur) 8-SOIC
SN75451BDR Datasheet SN75451BDR - Texas Instruments 296-14960-6-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 27.625 - Immédiatement
10.001 - Stock usine ?
Disponible: 27.625
Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,75V ~ 5,25V 0,8 V, 2 V 500 mA, 500 mA Avec inversion
-
5 ns, 7 ns 0 °C ~ 70 °C (TA) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90mm de largeur) 8-SOIC
SN75453BDR Datasheet SN75453BDR - Texas Instruments 296-9913-2-ND IC PERIPH DRVR DUAL HS 8-SOIC 17.500 - Immédiatement
10.000 - Stock usine ?
Disponible: 17.500
€ 0,26023 2.500 Minimum : 2.500 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,75V ~ 5,25V 0,8 V, 2 V 500 mA, 500 mA Avec inversion
-
5 ns, 7 ns 0 °C ~ 70 °C (TA) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90mm de largeur) 8-SOIC
SN75453BDR Datasheet SN75453BDR - Texas Instruments 296-9913-1-ND IC PERIPH DRVR DUAL HS 8-SOIC 20.614 - Immédiatement
10.001 - Stock usine ?
Disponible: 20.614
€ 0,69000 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,75V ~ 5,25V 0,8 V, 2 V 500 mA, 500 mA Avec inversion
-
5 ns, 7 ns 0 °C ~ 70 °C (TA) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90mm de largeur) 8-SOIC
SN75453BDR Datasheet SN75453BDR - Texas Instruments 296-9913-6-ND IC PERIPH DRVR DUAL HS 8-SOIC 20.614 - Immédiatement
10.001 - Stock usine ?
Disponible: 20.614
Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,75V ~ 5,25V 0,8 V, 2 V 500 mA, 500 mA Avec inversion
-
5 ns, 7 ns 0 °C ~ 70 °C (TA) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90mm de largeur) 8-SOIC
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6TR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 15.000 - Immédiatement Disponible: 15.000 € 0,25269 3.000 Minimum : 3.000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40V (maxi)
-
8 A, 8 A Sans inversion
-
13,4 ns, 12,4 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6CT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 17.896 - Immédiatement Disponible: 17.896 € 0,68000 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40V (maxi)
-
8 A, 8 A Sans inversion
-
13,4 ns, 12,4 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6DKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 17.896 - Immédiatement Disponible: 17.896 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40V (maxi)
-
8 A, 8 A Sans inversion
-
13,4 ns, 12,4 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
SN75477DR Datasheet SN75477DR - Texas Instruments 296-14962-2-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 5.000 - Immédiatement
10.000 - Stock usine ?
Disponible: 5.000
€ 0,32044 2.500 Minimum : 2.500 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2
-
4,5V ~ 5,5V 0,8 V, 2 V 500 mA, 500 mA Sans inversion
-
50 ns, 90 ns 0 °C ~ 70 °C (TA) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90mm de largeur) 8-SOIC
SN75477DR Datasheet SN75477DR - Texas Instruments 296-14962-1-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 8.770 - Immédiatement
10.001 - Stock usine ?
Disponible: 8.770
€ 0,78000 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2
-
4,5V ~ 5,5V 0,8 V, 2 V 500 mA, 500 mA Sans inversion
-
50 ns, 90 ns 0 °C ~ 70 °C (TA) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90mm de largeur) 8-SOIC
SN75477DR Datasheet SN75477DR - Texas Instruments 296-14962-6-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 8.770 - Immédiatement
10.001 - Stock usine ?
Disponible: 8.770
Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2
-
4,5V ~ 5,5V 0,8 V, 2 V 500 mA, 500 mA Sans inversion
-
50 ns, 90 ns 0 °C ~ 70 °C (TA) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90mm de largeur) 8-SOIC
IRS44273LTRPBF Datasheet IRS44273LTRPBF - Infineon Technologies IRS44273LTRPBFTR-ND IC DRIVER LOW SIDE 1.5A SOT23-5 12.000 - Immédiatement Disponible: 12.000 € 0,32245 3.000 Minimum : 3.000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
µHVIC™ Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 10,2V ~ 20V 0,8 V, 2,5 V 1,5 A, 1,5 A Sans inversion
-
25 ns, 25 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
IRS44273LTRPBF Datasheet IRS44273LTRPBF - Infineon Technologies IRS44273LTRPBFCT-ND IC DRIVER LOW SIDE 1.5A SOT23-5 12.209 - Immédiatement Disponible: 12.209 € 0,78000 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
µHVIC™ Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 10,2V ~ 20V 0,8 V, 2,5 V 1,5 A, 1,5 A Sans inversion
-
25 ns, 25 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
IRS44273LTRPBF Datasheet IRS44273LTRPBF - Infineon Technologies IRS44273LTRPBFDKR-ND IC DRIVER LOW SIDE 1.5A SOT23-5 12.209 - Immédiatement Disponible: 12.209 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
µHVIC™ Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 10,2V ~ 20V 0,8 V, 2,5 V 1,5 A, 1,5 A Sans inversion
-
25 ns, 25 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
IX4427MTR Datasheet IX4427MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4151TR-ND IC MOSFET DVR NONINV 1.5A 8-DFN 50.000 - Immédiatement Disponible: 50.000 € 0,35200 2.000 Minimum : 2.000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,5V ~ 30V 0,8 V, 2,4 V 1,5 A, 1,5 A Sans inversion
-
10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-VDFN plot exposé 8-DFN (3x3)
IX4427MTR Datasheet IX4427MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4151CT-ND IC MOSFET DVR NONINV 1.5A 8-DFN 51.619 - Immédiatement Disponible: 51.619 € 0,91000 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,5V ~ 30V 0,8 V, 2,4 V 1,5 A, 1,5 A Sans inversion
-
10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-VDFN plot exposé 8-DFN (3x3)
IX4427MTR Datasheet IX4427MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4151DKR-ND IC MOSFET DVR NONINV 1.5A 8-DFN 51.619 - Immédiatement Disponible: 51.619 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,5V ~ 30V 0,8 V, 2,4 V 1,5 A, 1,5 A Sans inversion
-
10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-VDFN plot exposé 8-DFN (3x3)
IX4427NTR Datasheet IX4427NTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4146TR-ND IC MOSFET DRIVER 1.5A 8SOIC 18.000 - Immédiatement Disponible: 18.000 € 0,35200 2.000 Minimum : 2.000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,5V ~ 30V 0,8 V, 2,4 V 1,5 A, 1,5 A Sans inversion
-
10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90mm de largeur) 8-SOIC
IX4427NTR Datasheet IX4427NTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4146CT-ND IC MOSFET DRIVER 1.5A 8SOIC 18.600 - Immédiatement Disponible: 18.600 € 0,91000 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,5V ~ 30V 0,8 V, 2,4 V 1,5 A, 1,5 A Sans inversion
-
10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90mm de largeur) 8-SOIC
IX4427NTR Datasheet IX4427NTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4146DKR-ND IC MOSFET DRIVER 1.5A 8SOIC 18.600 - Immédiatement Disponible: 18.600 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,5V ~ 30V 0,8 V, 2,4 V 1,5 A, 1,5 A Sans inversion
-
10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90mm de largeur) 8-SOIC
IX4428MTR Datasheet IX4428MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4152TR-ND IC MOSFET DVR INV/NON 1.5A 8-DFN 2.000 - Immédiatement Disponible: 2.000 € 0,35200 2.000 Minimum : 2.000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,5V ~ 30V 0,8 V, 2,4 V 1,5 A, 1,5 A Avec inversion, Sans inversion
-
10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-VDFN plot exposé 8-DFN (3x3)
IX4428MTR Datasheet IX4428MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4152CT-ND IC MOSFET DVR INV/NON 1.5A 8-DFN 3.053 - Immédiatement Disponible: 3.053 € 0,91000 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
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Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,5V ~ 30V 0,8 V, 2,4 V 1,5 A, 1,5 A Avec inversion, Sans inversion
-
10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-VDFN plot exposé 8-DFN (3x3)
IX4428MTR Datasheet IX4428MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4152DKR-ND IC MOSFET DVR INV/NON 1.5A 8-DFN 3.053 - Immédiatement Disponible: 3.053 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,5V ~ 30V 0,8 V, 2,4 V 1,5 A, 1,5 A Avec inversion, Sans inversion
-
10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-VDFN plot exposé 8-DFN (3x3)
FAN7842MX Datasheet FAN7842MX - ON Semiconductor FAN7842MXTR-ND IC DRIVER HIGH/LOW GATE 8-SOP 21.000 - Immédiatement Disponible: 21.000 € 0,38235 3.000 Minimum : 3.000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Indépendant 2 IGBT, MOSFET à canal N 10V ~ 20V 0,8 V, 2,9 V 350 mA, 650 mA Sans inversion 200V 60 ns, 30 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90mm de largeur) 8-SOIC
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