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Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,52000 €2,52
10 2,26500 €22,65
25 2,14160 €53,54
100 1,85600 €185,60
500 1,57998 €789,99
1.000 1,33251 €1.332,51

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Conditionnement alternatif
  • Bande et bobine  : 917-1118-2-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2 500
  • Quantité disponible: 17 500 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 1,29790 €
  • Digi-Reel®  : 917-1118-6-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 19 270 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
Référence Digi-Key 917-1118-1-ND
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Fabricant

EPC

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Référence fabricant EPC8002
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Description GANFET N-CH 65V 2A DIE
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Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Description détaillée

Canal N 65V 2 A (Ta) Montage en surface MATRICE

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Référence client
Documents et supports
Fiches techniques EPC8002
eGaN® FET Brief
Module(s) de formation sur le produit eGaN® FET Reliability
Bibliothèque de conceptions de référence EPC9022: 1.6A, 0 ~ 28V, Half H-Bridge
Assemblage/origine PCN Assembly Site 25/Jun/2021
Fiche technique HTML eGaN® FET Brief
EPC8002
Attributs des produits
Type Description Sélectionner tout
Catégories
Fabricant EPC
Série eGaN®
Conditionnement Bande coupée (CT) 
Statut de la pièce Actif
Type de FET Canal N
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss) 65V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V
Rds On (max.) à Id, Vgs 530mOhms à 500mA, 5V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Vgs (max.) +6V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 21pF @ 32,5V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max.) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur MATRICE
Boîtier MATRICE
 
Classifications environnementales et d'exportation
Statut RoHS Conforme à RoHS 3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
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Ressources supplémentaires
Colis standard 1
Autres Noms 917-1118-1