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Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,71000 €0,71
10 0,61900 €6,19
25 0,58200 €14,55
100 0,47480 €47,48
500 0,37536 €187,68
1.000 0,30029 €300,29

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Conditionnement alternatif
  • Bande et bobine  : 917-1100-2-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2.500
  • Quantité disponible: 390.000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,27214 €
  • Digi-Reel®  : 917-1100-6-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 390.828 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
Référence Digi-Key 917-1100-1-ND
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Fabricant

EPC

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Référence fabricant EPC2036
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Description GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
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Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Description détaillée

Canal N 100V 1,7 A (Ta) Montage en surface MATRICE

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Référence client
Documents et supports
Fiches techniques EPC2036
EPC2035,36 Product Highlight
Produit représenté EPC - GaN Performance at MOSFET Value
Wireless Power Solutions
Bibliothèque de conceptions de référence EPC9050 : 2.5A, 0 ~ 80V, Half Bridge
Assemblage/origine PCN Mult Dev Site Add 28/Aug/2020
Fiche technique HTML EPC2036
EPC2035,36 Product Highlight
Attributs des produits
Type Description Sélectionner tout
Catégories
Fabricant EPC
Série eGaN®
Conditionnement Bande coupée (CT) 
Statut de la pièce Actif
Type de FET Canal N
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,7 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V
Rds On (max.) à Id, Vgs 65mOhms à 1A, 5V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 600µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 0,91nC @ 5V
Vgs (max.) +6V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 90pF @ 50V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max.) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur MATRICE
Boîtier MATRICE
 
Classifications environnementales et d'exportation
Statut RoHS Conforme à RoHS 3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
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Ressources supplémentaires
Colis standard 1
Autres Noms 917-1100-1