Preise & Beschaffung
17.924 Artikel auf Lager
Kann sofort versendet werden
 

Menge

Zur Liste hinzufügen

Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Stückpreis Gesamtpreis
1 2,39000 €2,39
10 2,14800 €21,48
100 1,72630 €172,63
500 1,41830 €709,15
1.000 1,17516 €1.175,16

Senden Sie eine Angebotsanfrage für Mengen, die größer sind, als die oben angezeigten.

Stückpreis
€2,39000

Ohne MwSt.

€2,89190

Mit MwSt.

Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : 917-1084-2-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 2.500
  • Verfügbare Menge: 15.000 - Sofort
  • Stückpreis: €1,10517
  • Digi-Reel®  : 917-1084-6-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 17.924 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

EPC2012C

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer 917-1084-1-ND
Kopieren  
Hersteller

EPC

Kopieren  
Hersteller-Teilenummer EPC2012C
Kopieren  
Beschreibung GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Kopieren  
Standardlieferzeit des Herstellers 12 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 200V 5 A (Ta) Oberflächenmontage Chipumriss (4 Lötstreifen)

Kopieren  
Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter EPC2012C
Produktschulungsmodul(e) eGaN® FET Reliability
RoHS-Informationen EPC RoHS3 Cert
EPC REACH211 Cert
Vorgestelltes Produkt EPC Low Voltage eGaN® FETs
EPC9052/53/54 Development Boards
Wireless Power Solutions
Referenzdesign-Bibliothek EPC9052: 1A, 0 ~ 40V, 15 MHz, Class E Amplifier
PCN-Montage/Herkunft Assembly Site 25/Jun/2021
HTML-Datenblatt EPC2012C
EDA- / CAD-Modelle EPC2012C by SnapEDA
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller EPC
Serie eGaN®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 100mOhm bei 3A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 1,3nC @ 5V
Vgs (Max.) +6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 140pF @ 100V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten Chipumriss (4 Lötstreifen)
Gehäuse / Hülle Einsatz
Basis der Teilenummer EPC2012
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
zur Verwendung mit

EPC9004C

BOARD DEV FOR EPC2012C 200V EGAN

EPC

€78,01000 Details

EPC9052

BOARD DEV EPC2012C EGAN FET

EPC

€124,60000 Details
Folgendes könnte für Sie ebenfalls von Interesse sein

EPC2019

GANFET N-CH 200V 8.5A DIE

EPC

€3,18000 Details

EPC2037

GANFET N-CH 100V 1.7A DIE

EPC

€1,16000 Details

EPC2007C

GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE

EPC

€1,85000 Details

LMG1020YFFR

IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DSBGA

Texas Instruments

€4,41000 Details

LMG1020YFFT

IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DSBGA

Texas Instruments

€5,07000 Details

EPC2108

GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

EPC

€1,66000 Details
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen 917-1084-1