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EPC2010C N-Kanal 200V 22 A (Ta) Oberflächenmontage Chipumriss (7 Lötstreifen)
Preise & Beschaffung
 

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Preisreduzierung Stückpreis Gesamtpreis
1 5,81000 € 5,81
10 5,18500 € 51,85
25 4,66640 € 116,66
100 4,25160 € 425,16
250 3,83676 € 959,19

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Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer 917-1085-1-ND
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Verfügbare Menge 6.868
Kann sofort versendet werden
Hersteller

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Hersteller-Teilenummer

EPC2010C

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Beschreibung GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE
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Standardlieferzeit des Herstellers 12 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 200V 22 A (Ta) Oberflächenmontage Chipumriss (7 Lötstreifen)

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Kategorien
Hersteller EPC
Serie eGaN®
Verpackung ? Gurtabschnitt (CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 22 A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 5V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 25mOhm bei 12A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 3mA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 5,3nC @ 5V
Vgs (Max.) +6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 540pF @ 100V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten Chipumriss (7 Lötstreifen)
Gehäuse / Hülle Einsatz
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
zur Verwendung mit
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  • EPC9003C
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  • EPC9054
  • EPC
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  • 917-1117-ND
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Standardpaket ? 1
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15:59:54 6/17/2019