Name: SIUD412ED-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIUD412ED-T1-GE3TR-ND
Price: 0.4235 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SIUD412ED-T1-GE3
Productnummer DigiKey	SIUD412ED-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SIUD412ED-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIUD412ED-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SIUD412ED-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Standaard levertijd fabrikant	13 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 12 V 500mA (Tc) 1,25W (Ta) Opbouwmontage PowerPAK® 0806
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SIUD412ED-T1-GE3 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	12 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	500mA (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	1,2V, 4,5V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	340mOhm @ 500mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) bij Id	900mV @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	0.71 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	21 pF @ 6 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	1,25W (Ta)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PowerPAK® 0806
Verpakking / doos	PowerPAK® 0806
Basisproductnummer	SIUD412

Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Op voorraad: 64.051

Controleer op extra binnenkomende voorraad

Aantal

Alle prijzen zijn in EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Voor alle Digi-Reel-bestellingen wordt een oprolkosten van 5,50 € in rekening gebracht.

Tape & Reel (TR)