Name: SISA12ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISA12ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.6819 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SISA12ADN-T1-GE3
Productnummer DigiKey	SISA12ADN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SISA12ADN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SISA12ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SISA12ADN-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Standaard levertijd fabrikant	17 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 30 V 25 A (Tc) 3,5W (Ta), 28W (Tc) Opbouwmontage PowerPAK® 1212-8
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SISA12ADN-T1-GE3 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Vgs(th) (max.) bij Id 2,2V @ 250µA
Fabr. Vishay Siliconix	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 45 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max.) +20V, -16V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 2070 pF @ 15 V
Status onderdeel Actief	Vermogensdissipatie (max.) 3,5W (Ta), 28W (Tc)
FET-type N-kanaal	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Type montage Opbouwmontage
Spanning ontlading-bron (Vdss) 30 V	Apparaatpakket leverancier PowerPAK® 1212-8
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 25 A (Tc)	Verpakking / doos PowerPAK® 1212-8
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Basisproductnummer SISA12
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 4,3mOhm @ 10A, 10V