Name: SIRA20BDP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIRA20BDP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.2869 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SIRA20BDP-T1-GE3
Productnummer DigiKey	742-SIRA20BDP-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SIRA20BDP-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIRA20BDP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SIRA20BDP-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
Standaard levertijd fabrikant	27 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 25 V 82A (Ta), 335A (Tc) 6,3W (Ta), 104W (Tc) Opbouwmontage PowerPAK® SO-8
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	25 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	82A (Ta), 335A (Tc)
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	0,58mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	2,1V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	186 nC @ 10 V
Vgs (max.)	+16V, -12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	9950 pF @ 15 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	6,3W (Ta), 104W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PowerPAK® SO-8
Verpakking / doos	PowerPAK® SO-8
Basisproductnummer	SIRA20