Name: SIR878BDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR878BDP-T1-RE3TR-ND
Price: 2.3353 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SIR878BDP-T1-RE3
Productnummer DigiKey	SIR878BDP-T1-RE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SIR878BDP-T1-RE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIR878BDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SIR878BDP-T1-RE3
Beschrijving	MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK
Standaard levertijd fabrikant	29 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 100 V 12 A (Ta), 42,5 A (Tc) 5W (Ta), 62,5W (Tc) Opbouwmontage PowerPAK® SO-8
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SIR878BDP-T1-RE3 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	100 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	12 A (Ta), 42,5 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	7,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	14,4mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	3,4V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	1850 pF @ 50 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	5W (Ta), 62,5W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PowerPAK® SO-8
Verpakking / doos	PowerPAK® SO-8
Basisproductnummer	SIR878