Name: SIJK5100E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND
Price: 6.8728 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SIJK5100E-T1-GE3
Productnummer DigiKey	742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SIJK5100E-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIJK5100E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SIJK5100E-T1-GE3
Beschrijving	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET
Standaard levertijd fabrikant	13 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 100 V 74A (Ta), 417A (Tc) 17W (Ta), 536W (Tc) Opbouwmontage PowerPAK®10 x 12
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SIJK5100E-T1-GE3 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	100 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	74A (Ta), 417A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	7,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	1,4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	4V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	200 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	11480 pF @ 50 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	17W (Ta), 536W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PowerPAK®10 x 12
Verpakking / doos	8-PowerBSFN