Name: SI4483ADY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4483ADY-T1-GE3TR-ND
Price: 1.8271 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SI4483ADY-T1-GE3
Productnummer DigiKey	SI4483ADY-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SI4483ADY-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI4483ADY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SI4483ADY-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET P-CH 30V 19.2A 8SO
Standaard levertijd fabrikant	24 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	P-kanaal 30 V 19,2 A (Tc) 2,9W (Ta), 5,9W (Tc) Opbouwmontage 8-SOIC
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	P-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	30 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	19,2 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	8,8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	2,6V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	135 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	3900 pF @ 15 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	2,9W (Ta), 5,9W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	8-SOIC
Verpakking / doos	8-SOIC (0,154", 3,90mm breedte)
Basisproductnummer	SI4483