Name: TPH1R712MD,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH1R712MDL1QTR-ND
Price: 2.1175 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

TPH1R712MD,L1Q
Productnummer DigiKey	TPH1R712MDL1QTR-ND - Tape & Reel (TR) TPH1R712MDL1QCT-ND - Cut Tape (CT) TPH1R712MDL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Toshiba Semiconductor and Storage
Productnummer fabrikant	TPH1R712MD,L1Q
Beschrijving	MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Standaard levertijd fabrikant	16 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	P-kanaal 20 V 60 A (Tc) 78W (Tc) Opbouwmontage 8-SOP Advance (5x5)
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	TPH1R712MD,L1Q Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	P-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	20 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	60 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	2,5V, 4,5V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	1,7mOhm @ 30A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bij Id	1,2V @ 1mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	182 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	10900 pF @ 10 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	78W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	8-SOP Advance (5x5)
Verpakking / doos	8-PowerVDFN
Basisproductnummer	TPH1R712