Name: ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 2.8798 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Productnummer DigiKey	448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Beschrijving	ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Standaard levertijd fabrikant	26 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 100 V 10 A (Ta), 63 A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Opbouwmontage PG-TSDSON-8 FL
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	ISZ113N10NM5LF2ATMA1 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	100 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	10 A (Ta), 63 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	11,3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	3,9V @ 36µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	2300 pF @ 50 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	2,5W (Ta), 100W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-TSDSON-8 FL
Verpakking / doos	8-PowerTDFN