Name: IPDQ60R022S7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ60R022S7XTMA1TR-ND
Price: 10.6964 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IPDQ60R022S7XTMA1
Productnummer DigiKey	448-IPDQ60R022S7XTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IPDQ60R022S7XTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPDQ60R022S7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IPDQ60R022S7XTMA1
Beschrijving	HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Standaard levertijd fabrikant	17 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 600 V 24 A (Tc) 416W (Tc) Opbouwmontage PG-HDSOP-22-1
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IPDQ60R022S7XTMA1 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ S7
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	600 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	24 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	12V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	22mOhm @ 23A, 12V
Vgs(th) (max.) bij Id	4,5V @ 1,44mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	150 nC @ 12 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	5639 pF @ 300 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	416W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-HDSOP-22-1
Verpakking / doos	22-PowerBSOP module
Basisproductnummer	IPDQ60R