Name: IMT40R045M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT40R045M2HXTMA1TR-ND
Price: 6.3646 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IMT40R045M2HXTMA1
Productnummer DigiKey	448-IMT40R045M2HXTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMT40R045M2HXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMT40R045M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IMT40R045M2HXTMA1
Beschrijving	SIC-MOS
Standaard levertijd fabrikant	23 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 400 V 6,8A (Ta), 43A (Tc) 3,8W (Ta), 150W (Tc) Opbouwmontage PG-HSOF-8-2
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IMT40R045M2HXTMA1 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	SiCFET (siliciumcarbide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	400 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	6,8A (Ta), 43A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	56,2mOhm @ 8,9A, 18V
Vgs(th) (max.) bij Id	5,6V @ 3,2mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	21 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+23V, -7V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	910 pF @ 200 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	3,8W (Ta), 150W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-HSOF-8-2
Verpakking / doos	8-PowerSFN