Name: G2K2P10D3E
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 4822-G2K2P10D3ETR-ND
Price: 0.15154 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

G2K2P10D3E
Productnummer DigiKey	4822-G2K2P10D3ETR-ND - Tape & Reel (TR)
Fabrikant	Goford Semiconductor
Productnummer fabrikant	G2K2P10D3E
Beschrijving	MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	P-kanaal 100 V 10 A (Tc) 31W (Tc) Opbouwmontage 8-DFN (3,15x3,05)
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Goford Semiconductor
Serie	-
Verpakking	Tape & Reel (TR)
Status onderdeel	Actief
FET-type	P-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	100 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	10 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	210mOhm @ -6A, -10V
Vgs(th) (max.) bij Id	2,5V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	1668 pF @ -50 V
Vermogensdissipatie (max.)	31W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	8-DFN (3,15x3,05)
Verpakking / doos	8-PowerVDFN