Name: SQJ185ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ185ELP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.2627 EUR
Availability: InStock

Nouveau produit

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SQJ185ELP-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SQJ185ELP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SQJ185ELP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SQJ185ELP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQJ185ELP-T1_GE3
Description	P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	37 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 80 V 62 A (Tc) 145W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 69 nC @ 10 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4914 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 145W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 62 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Rds On (max.) à Id, Vgs 19,5mohms à 10A, 10V	Boîtier PowerPAK® SO-8