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SIHP21N80AE-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHP21N80AE-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHP21N80AE-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 17,4A (Tc) 32W (Tc) Trou traversant TO-220AB |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 72 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1388 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 32W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 800 V | Boîtier fournisseur TO-220AB |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 235mohms à 11A, 10V |
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Substituts (4)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP260N60E | onsemi | 190 | FCP260N60EOS-ND | 3,48000 € | Similaire |
| FCP290N80 | onsemi | 0 | FCP290N80OS-ND | 0,00000 € | Similaire |
| TK16E60W5,S1VX | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK16E60W5S1VX-ND | 4,21000 € | Similaire |
| TK17E80W,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 92 | TK17E80WS1X-ND | 5,89000 € | Similaire |
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 4,81000 € | 4,81 € |
| 50 | 2,50860 € | 125,43 € |
| 100 | 2,28630 € | 228,63 € |
| 500 | 1,89692 € | 948,46 € |
| 1 000 | 1,77193 € | 1 771,93 € |
| 2 000 | 1,67271 € | 3 345,42 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 4,81000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 5,82010 € |
