Name: IRF530STRLPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF530STRLPBFTR-ND
Price: 2.7225 EUR
Availability: InStock

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IRF530STRLPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF530STRLPBFTR-ND - Bande et bobine IRF530STRLPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF530STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	IRF530STRLPBF
Description	MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 14 A (Tc) 3,7W (Ta), 88W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF530STRLPBF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 26 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 670 pF @ 25 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3,7W (Ta), 88W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 14 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 160mohms à 8,4A, 10V	Numéro de produit de base IRF530

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IRF530STRRPBF	Vishay Siliconix	382	742-IRF530STRRPBFCT-ND	2,25000 €	Équivalent paramétrique
SIHF530STRL-GE3	Vishay Siliconix	440	742-SIHF530STRL-GE3CT-ND	1,47000 €	Équivalent paramétrique
IRF530NSTRLPBF	Infineon Technologies	6 951	IRF530NSTRLPBFCT-ND	2,30000 €	Similaire

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