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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SMBJ8.0A-M3/5B | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SMBJ8.0A-M3/5B-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SMBJ8.0A-M3/5B |
Description | TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO214AA |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | 13,6V Pince 44,1 A Ipp TVS - Diodes Montage en surface DO-214AA (SMBJ) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Courant - Impulsion de crête (10/1000µs) 44,1 A |
Fabricant | Puissance - Impulsion de crête 600W |
Série | Protection de ligne électrique Non |
Conditionnement Bande et bobine | Applications Usage général |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type Zener | Type de montage Montage en surface |
Canaux unidirectionnels 1 | Boîtier DO-214AA, SMB |
Tension - Sécurité inverse (typ.) 8V | Boîtier fournisseur |
Tension - Claquage (min.) 8,89V | Numéro de produit de base |
Tension - Blocage (max.) @ Ipp 13,6V |
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Substituts (6)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SMBJ8.0D-M3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SMBJ8.0D-M3/IGITR-ND | 0,12394 € | Direct |
| SMBJ8.0A-E3/5B | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SMBJ8.0A-E3/5B-ND | 0,06928 € | Similaire |
| SMBJ8V0A | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | SMBJ8V0ATR-ND | 0,11316 € | Direct |
| P6SMB9.1A | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | 1801-P6SMB9.1ATR-ND | 0,11316 € | Similaire |
| SMBJ8.0A/TR13 | YAGEO | 2 388 | 13-SMBJ8.0A/TR13CT-ND | 0,13000 € | Similaire |
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Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 9 600 | 0,14143 € | 1 357,73 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,14143 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,17113 € |
