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Similaire
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ESH3B-M3/9AT | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | ESH3B-M3/9AT-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | ESH3B-M3/9AT |
Description | DIODE STANDARD 100V 3A DO214AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 100 V 3A Montage en surface DO-214AB (SMC) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Temps de recouvrement inverse (trr) 40 ns |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 5 µA @ 100 V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité à Vr, F 70pF à 4V, 1MHz |
Statut du composant Actif | Type de montage |
Technologies | Boîtier |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 100 V | Boîtier fournisseur DO-214AB (SMC) |
Courant - Moyen redressé (Io) 3A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 900 mV @ 3 A | Numéro de produit de base |
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
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Substituts (6)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| ESH3B-E3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ESH3B-E3/57T-ND | 0,29540 € | Équivalent paramétrique |
| ESH3B-E3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ESH3B-E3/9AT-ND | 0,29541 € | Équivalent paramétrique |
| ESH3B-M3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ESH3B-M3/57T-ND | 0,31164 € | Équivalent paramétrique |
| ESH3BHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ESH3BHE3_A/H-ND | 0,31334 € | Équivalent paramétrique |
| ESH3BHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ESH3BHE3_A/I-ND | 0,31334 € | Équivalent paramétrique |
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Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 7 000 | 0,31164 € | 2 181,48 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,31164 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,37708 € |
