Name: 1N5062TR
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 1N5062TR-ND
Price: 2.5168 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

1N5062TR
Numéro de produit DigiKey	1N5062TR-ND - Bande et bobine 1N5062CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numéro de produit du fabricant	1N5062TR
Description	DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	9 semaines
Référence client
Description détaillée	Diode 800 V 2A Trou traversant SOD-57
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples	Temps de recouvrement inverse (trr) 4 µs
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Courant - Fuite inverse à Vr 1 µA @ 800 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Capacité à Vr, F 40pF à 0V, 1MHz
Statut du composant Actif	Type de montage Trou traversant
Technologies Avalanche	Boîtier SOD-57, Axial
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 800 V	Boîtier fournisseur SOD-57
Courant - Moyen redressé (Io) 2A	Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.15 V @ 2.5 A	Numéro de produit de base 1N5062
Vitesse Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)