Nouveaux produits chez DigiKey
NH3T008MP120F2
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NH3T008MP120F2

Numéro de produit DigiKey
5140-NH3T008MP120F2-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
NH3T008MP120F2
Description
1200 V, 8 m SiC Half-Bridge Powe
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 200 A (Tc) Montage sur châssis
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
NoMIS Power
Série
Conditionnement
Plateau
Statut du composant
Actif
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
200 A (Tc)
Vgs(th) (max.) à Id
4V @ 100mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
530nC @ 20V
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier
Module
Boîtier fournisseur
-
Questions et réponses sur les produits

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En stock: 6
PRODUIT MARKETPLACE
Expédition sous environ 5 jours de NoMIS Power
Des frais d'expédition forfaitaires distincts de 129,56 € s'appliqueront
Tous les prix sont en EUR
Plateau
Quantité Prix unitaire Prix total
1128,69000 €128,69 €
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:128,69000 €
Prix unitaire avec TVA:155,71490 €