
NH3T008MP120F2 | |
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Numéro de produit DigiKey | 5140-NH3T008MP120F2-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | NH3T008MP120F2 |
Description | 1200 V, 8 m SiC Half-Bridge Powe |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 200 A (Tc) Montage sur châssis |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | NoMIS Power | |
Série | ||
Conditionnement | Plateau | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | Carbure de silicium (SiC) | |
Configuration | 2 canaux N (demi-pont) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 200 A (Tc) | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4V @ 100mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 530nC @ 20V | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage sur châssis | |
Boîtier | Module | |
Boîtier fournisseur | - |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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| 1 | 128,69000 € | 128,69 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 128,69000 € |
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| Prix unitaire avec TVA: | 155,71490 € |


