Name: NXV55UNR
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-NXV55UNRTR-ND
Price: 0.3993 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NXV55UNR
Numéro de produit DigiKey	1727-NXV55UNRTR-ND - Bande et bobine 1727-NXV55UNRCT-ND - Bande coupée (CT) 1727-NXV55UNRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	NXV55UNR
Description	NXV55UN/SOT23/TO-236AB
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 1,9 A (Ta) 340mW (Ta), 2,1W (Tc) Montage en surface TO-236AB
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NXV55UNR Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Série	TrenchMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,9 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	66mohms à 1,9A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	900mV à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8.7 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	352 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	340mW (Ta), 2,1W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-236AB
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3