Name: IMW120R040M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW120R040M1HXKSA1-ND
Price: 16.6254 EUR
Availability: OutOfStock

Canal N 1200 V 55 A (Tc) 227W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3

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IMW120R040M1HXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMW120R040M1HXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMW120R040M1HXKSA1
Description	SIC DISCRETE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	54 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 55 A (Tc) 227W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMW120R040M1HXKSA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 54,4mohms à 19,3A, 18V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 5,2V à 10mA
Série CoolSiC™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 51 nC @ 18 V
Conditionnement Tube	Vgs (max.) +20V, -5V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1620 pF @ 800 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 227W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 1200 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 55 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 18V	Boîtier TO-247-3

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	13,74000 €	13,74 €
30	8,30233 €	249,07 €
120	7,11117 €	853,34 €
510	6,23918 €	3 181,98 €
1 020	5,92130 €	6 039,73 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.