Name: IQFH36N04NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQFH36N04NM6ATMA1TR-ND
Price: 5.6749 EUR
Availability: OutOfStock

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IQFH36N04NM6ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IQFH36N04NM6ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IQFH36N04NM6ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IQFH36N04NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IQFH36N04NM6ATMA1
Description	IQFH36N04NM6ATMA1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	25 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 66A (Ta), 656A (Tc) 3W (Ta), 300W (Tc) Montage en surface PG-TSON-12-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IQFH36N04NM6ATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 0,36mohms à 100A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 2,8V à 1,05mA
Série OptiMOS™ 6	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 309 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 18600 pF @ 20 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 300W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 66A (Ta), 656A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TSON-12-1
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier 12-PowerTDFN

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