IPD50R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IPD50R1K4CEAUMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPD50R1K4CEAUMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPD50R1K4CEAUMA1CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD50R1K4CEAUMA1
Description	MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 500 V 3,1 A (Tc) 42W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD50R1K4CEAUMA1 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 70µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8.2 nC @ 10 V
Série CoolMOS™ CE	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 178 pF @ 100 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 42W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 500 V	Boîtier fournisseur PG-TO252-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,1 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 13V	Numéro de produit de base IPD50R1
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,4ohms à 900mA, 13V

Signaler une erreur dans les informations sur le produit

Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 950

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Ce produit n'est plus fabriqué et ne sera plus stocké une fois le stock épuisé.

Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT)

Bande et bobine