Name: IAUA220N08S5N021AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUA220N08S5N021AUMA1TR-ND
Price: 5.4571 EUR
Availability: InStock

Canal N 80 V 220A (Tj) 211W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-5-4

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IAUA220N08S5N021AUMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUA220N08S5N021AUMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUA220N08S5N021AUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUA220N08S5N021AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUA220N08S5N021AUMA1
Description	MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 220A (Tj) 211W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-5-4
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUA220N08S5N021AUMA1 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 120µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 105 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7219 pF @ 40 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 211W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 220A (Tj)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier fournisseur PG-HSOF-5-4
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,1mohms à 100A, 10V	Boîtier 5-PowerSFN