Name: DI5A7N65D1K-AQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI5A7N65D1K-AQTR-ND
Price: 2.783 EUR
Availability: InStock

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DI5A7N65D1K-AQ
Numéro de produit DigiKey	4878-DI5A7N65D1K-AQTR-ND - Bande et bobine 4878-DI5A7N65D1K-AQCT-ND - Bande coupée (CT) 4878-DI5A7N65D1K-AQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diotec Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	DI5A7N65D1K-AQ
Description	MOSFET N-CH 650V 5.7A TO-252-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	10 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 5,7 A (Tc) 36W (Tc) Montage en surface
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DI5A7N65D1K-AQ Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 18.4 nC @ 10 V
Fabricant Diotec Semiconductor	Vgs (max.) ±30V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 722 pF @ 325 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 36W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,7 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier fournisseur TO-252AA (DPAK)
Rds On (max.) à Id, Vgs 430mohms à 4A, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	2,30000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,78300 €

DI5A7N65D1K-AQ