Name: DMG9926USD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG9926USD-13DITR-ND
Price: 0.8228 EUR
Availability: InStock

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DMG9926USD-13
Numéro de produit DigiKey	DMG9926USD-13DITR-ND - Bande et bobine DMG9926USD-13DICT-ND - Bande coupée (CT) DMG9926USD-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMG9926USD-13
Description	MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 8A 1,3W Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 900mV à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8,8nC à 4,5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 867pF à 15V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 1,3W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss) 20V	Boîtier fournisseur 8-SO
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8A	Numéro de produit de base DMG9926
Rds On (max.) à Id, Vgs 24mohms à 8,2A, 4,5V

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Documents et supports

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