SPB04N60C3ATMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Canal N 650 V 4,5 A (Tc) 50W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SPB04N60C3ATMA1

Numéro de produit DigiKey
SPB04N60C3ATMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SPB04N60C3ATMA1
Description
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO263-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 4,5 A (Tc) 50W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
3,9V à 200µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
25 nC @ 10 V
Série
Vgs (max.)
±20V
Conditionnement
Bande et bobine
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
490 pF @ 25 V
Statut du composant
Obsolète
Dissipation de puissance (max.)
50W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Montage en surface
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Boîtier fournisseur
PG-TO263-3-2
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
950mohms à 2,8A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (5)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
STB9NK80ZSTMicroelectronics116497-13936-1-ND2,52000 €Direct
IRFBC40ASTRLPBFVishay Siliconix450IRFBC40ASTRLPBFCT-ND4,85000 €Similaire
R6004KNJTLRohm Semiconductor1 000R6004KNJTLCT-ND0,67553 €Similaire
STB10NK60ZT4STMicroelectronics1 000497-6544-1-ND4,23000 €Similaire
STB6N60M2STMicroelectronics3 569497-13934-1-ND1,96000 €Similaire
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.