Name: SISS52DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS52DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.8876 EUR
Availability: OutOfStock

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SISS52DN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SISS52DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SISS52DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SISS52DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SISS52DN-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 47,1A (Ta), 162A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8SH
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SISS52DN-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,2V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 65 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen V	Vgs (Max.) +16V, -12V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2950 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 4,8W (Ta), 57W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8SH
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 47,1A (Ta), 162A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8SH
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer SISS52
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,2mOhm bei 20A, 10V