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SIHP21N80AE-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHP21N80AE-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHP21N80AE-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 800 V 17,4A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 72 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1388 pF @ 100 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 32W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 235mOhm bei 11A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP260N60E | onsemi | 190 | FCP260N60EOS-ND | 3,48000 € | Ähnlich |
| FCP290N80 | onsemi | 0 | FCP290N80OS-ND | 0,00000 € | Ähnlich |
| TK16E60W5,S1VX | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK16E60W5S1VX-ND | 4,21000 € | Ähnlich |
| TK17E80W,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 92 | TK17E80WS1X-ND | 5,89000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 4,81000 € | 4,81 € |
| 50 | 2,50860 € | 125,43 € |
| 100 | 2,28630 € | 228,63 € |
| 500 | 1,89692 € | 948,46 € |
| 1.000 | 1,77193 € | 1.771,93 € |
| 2.000 | 1,67271 € | 3.345,42 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 4,81000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 5,82010 € |



