Name: SIHD6N80E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHD6N80E-GE3-ND
Price: 3.1702 EUR
Availability: InStock

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SIHD6N80E-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIHD6N80E-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHD6N80E-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 5,4 A (Tc) 78W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 44 nC @ 10 V
Serie E	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Lose im Beutel	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 827 pF @ 100 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 78W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252AA
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5,4 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer SIHD6
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 940mOhm bei 3A, 10V

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Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
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