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Vishay Siliconix
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Parametrisches Äquivalent


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
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Vorrätig: 0
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Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,00000 €
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IXYS
Vorrätig: 4.207
Stückpreis : 6,70000 €
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N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 250W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 250W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB24N65E-E3

DigiKey-Teilenr.
SIHB24N65E-E3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHB24N65E-E3
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 250W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
122 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2740 pF @ 100 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Montagetyp
Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
145mOhm bei 12A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (28)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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