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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHB18N60E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHB18N60E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHB18N60E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 18A TO263 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 18 A (Tc) 179W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK) |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Ähnliche Produkte anzeigen
Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 92 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1640 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 179W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Montagetyp Oberflächenmontage |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK) |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 202mOhm bei 9A, 10V | Basis-Produktnummer |
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Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (9)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| TK20G60W,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 10 | TK20G60WRVQCT-ND | 3,86000 € | Direkter Ersatz |
| FCB199N65S3 | onsemi | 578 | 488-FCB199N65S3CT-ND | 4,42000 € | Ähnlich |
| IPB60R165CPATMA1 | Infineon Technologies | 4.804 | IPB60R165CPATMA1CT-ND | 5,03000 € | Ähnlich |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4.207 | 238-IXFA22N65X2-ND | 6,70000 € | Ähnlich |
| IXFA24N60X | IXYS | 0 | IXFA24N60X-ND | 2,74240 € | Ähnlich |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1.000 | 1,56207 € | 1.562,07 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 1,56207 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 1,89010 € |
