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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHB11N80AE-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 742-SIHB11N80AE-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHB11N80AE-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK |
Standardlieferzeit des Herstellers | 25 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 800 V 8 A (Tc) 78W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK) |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIHB11N80AE-GE3 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 450mOhm bei 5,5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 42 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 804 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 78W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-263 (D2PAK) | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 894
Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen
Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 2,52000 € | 2,52 € |
| 10 | 1,63200 € | 16,32 € |
| 100 | 1,12560 € | 112,56 € |
| 500 | 0,90926 € | 454,63 € |
| 1.000 | 0,83976 € | 839,76 € |
| 2.000 | 0,78133 € | 1.562,66 € |
| 5.000 | 0,76114 € | 3.805,70 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 2,52000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 3,04920 € |
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