Name: SIA485DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA485DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 0.9317 EUR
Availability: InStock

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SIA485DJ-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIA485DJ-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIA485DJ-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIA485DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIA485DJ-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70
Standardlieferzeit des Herstellers	63 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 150 V 1,6 A (Tc) 15,6W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SC-70-6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIA485DJ-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 6.3 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 155 pF @ 75 V
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 15,6W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1,6 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SC-70-6
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SC-70-6
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,6Ohm bei 500mA, 10V	Basis-Produktnummer SIA485

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