Name: SI1416EDH-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1416EDH-T1-GE3TR-ND
Price: 0.7139 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI1416EDH-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI1416EDH-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI1416EDH-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI1416EDH-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI1416EDH-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 3,9 A (Tc) 2,8W (Tc) Oberflächenmontage SC-70-6
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 58mOhm bei 3,1A, 10V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 1,4V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 12 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±12V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,8W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten SC-70-6
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 3,9 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 2,5V, 10V	Basis-Produktnummer SI1416

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 84.351

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von 5,50 € erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

Standardverpackung des Herstellers

Stückpreis ohne MwSt.:	0,59000 €
Stückpreis mit MwSt.:	0,71390 €

SI1416EDH-T1-GE3