N-Kanal 650 V 21 A (Tc) 103W Durchkontaktierung TO-247N
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N-Kanal 650 V 21 A (Tc) 103W Durchkontaktierung TO-247N
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
AECQ SIC FET’s | Datasheet Preview

SCT3120ALHRC11

DigiKey-Teilenr.
SCT3120ALHRC11-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SCT3120ALHRC11
Beschreibung
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 21 A (Tc) 103W Durchkontaktierung TO-247N
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
38 nC @ 18 V
Herst.
Vgs (Max.)
+22V, -4V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
460 pF @ 500 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
103W
FET-Typ
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Technologie
Klasse
Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Qualifizierung
AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Montagetyp
Durchkontaktierung
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247N
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
156mOhm bei 6,7A, 18V
Gehäuse / Hülle
Vgs(th) (max.) bei Id
5,6V bei 3,33mA
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
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