PDTC114ET215 NXP Semiconductors | Einzelne, vorgespannte bipolare Transistoren

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PDTC114ET215
DigiKey-Teilenr.	2156-PDTC114ET215-NXP-ND
Hersteller	NXP Semiconductors
Hersteller-Teilenummer	PDTC114ET215
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln mit Vorspannung NPN mit Vorspannung 50 V 100 mA 230 MHz 250 mW Oberflächenmontage SOT23-3 (TO-236)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgespannte bipolare Transistoren	Widerstand - Emitter-Basis (R2) 10 kOhms
Hersteller NXP Semiconductors	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 30 bei 5mA, 5V
Verpackung Lose im Beutel	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 150mV bei 500µA, 10mA
Status der Komponente Aktiv	Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 1µA
Transistor-Typ NPN mit Vorspannung	Frequenz - Übergang 230 MHz
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100 mA	Leistung - Max. 250 mW
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Widerstände enthalten R1 und R2	Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT23-3 (TO-236)

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