2SJ652-1E onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2SJ652-1E
DigiKey-Teilenr.	2SJ652-1EOS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	2SJ652-1E
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 28 A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3SG
EDA/CAD-Modelle	2SJ652-1E Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	28 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	38mOhm bei 14A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4360 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220F-3SG
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	2SJ652