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PSMN6R5-80PS,127 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 1727-5896-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | PSMN6R5-80PS,127 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 80 V 100 A (Tc) 210W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 71 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±20V |
Status der Komponente Obsolet | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4461 pF @ 40 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 210W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 6,9mOhm bei 15A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| AOT410L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 1.360 | 785-1237-5-ND | 3,43000 € | Ähnlich |
| CSD19501KCS | Rochester Electronics, LLC | 1.163 | 2156-CSD19501KCS-ND | 2,42000 € | Ähnlich |
| IPP057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 17 | 448-IPP057N08N3GXKSA1-ND | 3,74000 € | Ähnlich |
| IPP80N08S406AKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 92.306 | 2156-IPP80N08S406AKSA1-ND | 1,59348 € | Ähnlich |
| IRF3808PBF | Infineon Technologies | 892 | IRF3808PBF-ND | 3,68000 € | Ähnlich |






