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Microchip Technology
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Stückpreis : 25,57420 €
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Parametrisches Äquivalent


Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : 6,94000 €
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent


Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : 13,08510 €
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent


Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : 15,18390 €
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent


Microchip Technology
Vorrätig: 5
Stückpreis : 7,02000 €
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent


Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : 18,96690 €
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent


Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : 9,92000 €
Datenblatt
B, SQ-MELF
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

JANS1N5809US

DigiKey-Teilenr.
JANS1N5809US-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
JANS1N5809US
Beschreibung
DIODE STANDARD 100V 3A B SQMELF
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 100 V 3A Oberflächenmontage B, SQ-MELF
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
JANS1N5809US Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
100 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
3A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
875 mV @ 4 A
Geschwindigkeit
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
30 ns
Kapazität bei Vr, F
-
Klasse
Militärtechnik
Qualifizierung
MIL-PRF-19500/477
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
B, SQ-MELF
Betriebstemperatur - Übergang
-65°C bis 175°C
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