Name: IXTA1R6N100D2HV
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA1R6N100D2HV-ND
Price: 6.7276 EUR
Availability: InStock

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IXTA1R6N100D2HV
DigiKey-Teilenr.	238-IXTA1R6N100D2HV-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTA1R6N100D2HV
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV
Standardlieferzeit des Herstellers	32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 1,6 A (Tj) 100W (Tc) Oberflächenmontage TO-263HV
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Depletion
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal, Verarmungsmodus
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1,6 A (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	0V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	10Ohm bei 800mA, 0V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	27 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	645 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	100W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263HV
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IXTA1

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	5,56000 €	5,56 €
50	2,95660 €	147,83 €
100	2,70540 €	270,54 €
500	2,26538 €	1.132,69 €
1.000	2,21841 €	2.218,41 €

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