IXFX120N25 IXYS | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFX120N25
DigiKey-Teilenr.	IXFX120N25-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFX120N25
Beschreibung	MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 250 V 120 A (Tc) 560W (Tc) Durchkontaktierung PLUS247™-3

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	HiPerFET™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	120 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	22mOhm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 8mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	400 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	9400 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	560W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PLUS247™-3
Gehäuse / Hülle	TO-247-3 Variante
Basis-Produktnummer	IXFX120