Name: IXFT18N100Q3
Brand: IXYS
SKU: IXFT18N100Q3-ND
Price: 13.92629 EUR
Availability: OutOfStock

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IXFT18N100Q3
DigiKey-Teilenr.	IXFT18N100Q3-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFT18N100Q3
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 18A TO268
Standardlieferzeit des Herstellers	46 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1000 V 18 A (Tc) 830W (Tc) Oberflächenmontage TO-268AA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	HiPerFET™, Q3 Class
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	18 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	660mOhm bei 9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	6,5V bei 4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	90 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4890 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	830W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-268AA
Gehäuse / Hülle	TO-268-3, D3PAK (2 Pins + Lasche), TO-268AA
Basis-Produktnummer	IXFT18

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